具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件，包括有表面沟道的PMOS器件，该PMOS器件的栅极由p型掺杂的第一多晶硅层及其之上的n型掺杂的第二多晶硅层组成，在第二多晶硅层的表面形成有多晶硅化物，所述第二多晶硅层的掺杂浓度大于第一多晶硅层。本发明还公开了其制造方法。对PMOS而言，是由n型多晶硅和p型多晶硅的复合结构构成栅极。一方面，由于和PMOS的栅氧化层接触的是p型多晶硅栅，保证了表面沟道PMOS特性的实现，另一方面，在p型多晶硅上方叠加了n型多晶硅，又确保了其和多晶硅化物的良好欧姆接触，实现表面沟道PMOS器件的多晶硅化物制造。对CMOS而言，其栅极由两个n型多晶硅叠加形成，对其性能并无影响。

主权项

一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件，包括有表面沟道的PMOS器件，其特征是，该PMOS器件的栅极由p型掺杂的第一多晶硅层及其之上的n型掺杂的第二多晶硅层组成，在第二多晶硅层的表面形成有多晶硅化物；所述第二多晶硅层的掺杂浓度大于第一多晶硅层。