| 发明名称 | 制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型晶体管区和N型晶体管区，且其上依次形成有栅介电层和覆盖层；b）在所述覆盖层上形成暴露所述P型晶体管区的光刻胶层；c）执行氮处理工艺，以在所述P型晶体管区的所述栅介电层和所述覆盖层中掺杂氮；以及d）去除所述光刻胶层。通过在P型晶体管区内的栅介电层和覆盖层的界面处掺杂氮原子来取代界面处的氧原子，可以提高P型晶体管区内的覆盖层的有效功函数值，降低P型晶体管的阈值电压，进而使覆盖层可以同时与P型晶体管区和N型晶体管区的功函数层相匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN103094214A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110344432.0 | 申请日期 | 2011.11.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈勇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型晶体管区和N型晶体管区，且其上依次形成有栅介电层和覆盖层；b）在所述覆盖层上形成暴露所述P型晶体管区的光刻胶层； c）执行氮处理工艺，以在所述P型晶体管区的所述栅介电层和所述覆盖层中掺杂氮；以及d）去除所述光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||