发明名称 |
光栅的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种光栅的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在基底表面形成一图形化的掩模层;将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中,通入刻蚀气体对基底进行刻蚀,刻蚀过程分为三个阶段:第一刻蚀阶段,刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气,四氟化碳和氩气同时通入;第二刻蚀阶段,刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气,且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入,六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量;第三刻蚀阶段,继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气,其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量;以及去除掩模层,得到一光栅。本发明制备得到高密度、高深宽比的亚波长衍射光栅。 |
申请公布号 |
CN103086607A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110333556.9 |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 |
分类号 |
C03C15/00(2006.01)I |
主分类号 |
C03C15/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种光栅的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在基底表面形成一图形化的掩模层;将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中,通入刻蚀气体对基底进行刻蚀,刻蚀过程分为三个阶段:第一刻蚀阶段,刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气,四氟化碳和氩气同时通入,四氟化碳和氩气的总体积流量为40sccm至120sccm,四氟化碳的体积流量的范围为10sccm至100sccm,氩气的体积流量的范围为1sccm至30sccm;第二刻蚀阶段,刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气,且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入,其中,刻蚀气体的等离子体的总体积流量的范围为40sccm至120sccm,其中,六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量;第三刻蚀阶段,继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气,其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量,四氟化碳的体积流量的范围为20sccm至80sccm,六氟化硫的体积流量的范围为5sccm至50sccm,氩气的体积流量为5sccm至40sccm;以及去除掩模层,得到一光栅。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |