| 发明名称 | 一种光阻涂布的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光阻涂布的方法及装置，用以降低半导体芯片的不良率。该方法包括：将晶片放置在工作台上，对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。这样，使得涂布的光阻厚度均匀性得到显著改善，刻蚀后最薄处光阻剩余厚度足以挡住护层刻蚀，因此可以解决护层过刻问题，确保刻蚀后图形定义完整，降低半导体芯片的不良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103094093A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110351490.6 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 戴新华;彭超群;方表峰;杜兆董 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种光阻涂布的方法，其特征在于，包括：将晶片放置在工作台上；对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||