| 发明名称 | 一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。本发明还公开了一种所述寄生N-I-P型PIN器件结构的制作方法。发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制作方法能实现低插入损耗和高隔离度。 | ||
| 申请公布号 | CN103094313A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110340184.2 | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;钱文生;胡君;段文婷;石晶 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种BICMOS工艺中的寄生N‑I‑P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||