| 发明名称 | 提高PowerMOS器件UIS性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，包括：在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N-源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N-PN管。本发明通过在原有功率MOS器件的工艺基础上，不增加额外的光罩，仅将原有Source注入由一次改为两次，便可得到UIS性能更加优越的MOS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103094079A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110348539.2 | 申请日期 | 2011.11.07 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 罗清威;吴晶;左燕丽 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，其特征在于，包括：在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N‑源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N‑PN管。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||