一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，该方法是通过将硒粉溶解在高沸点油性溶剂中形成硒前驱体，然后快速注入到高温的由铜盐、镉盐、锡盐、高沸点烷基胺和高沸点油性溶剂组成的金属前驱体中，反应到预定时间后取出反应混合物注入沉淀剂中使产物沉淀，最终得到高质量的铜镉锡硒半导体纳米晶体。本发明的优点在于：纳米晶体的制备方法简单，操作过程安全，所用的反应原料成本低廉，制备的纳米晶体形貌均匀、尺寸一致、结晶性好。该发明制备的纳米晶体可作为热电器件材料。

主权项

一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于制备步骤如下：1）.金属前驱体的制备：将铜盐、镉盐和锡盐金属盐类反应物，高沸点烷基胺及高沸点油性溶剂装入反应容器中，搅拌至完全溶解；金属前驱体中材料配比为：铜盐与镉盐的摩尔比为3：1到1：1之间；铜盐与锡盐的摩尔比为3：1到1：1之间；金属盐类与烷基胺的摩尔比为1：2到1：15之间；制备的金属前驱体中金属盐类总浓度为0.05mol/L到0.1mol/L之间；2）.硒前驱体的制备：将硒粉和高沸点油性溶剂加入另一个反应容器中，在惰性气氛中加热至180‑220℃使硒粉完全溶解；或者将硒粉、三辛基膦和高沸点油性溶剂加入可密封容器中，在惰性气氛中密封，然后超声使硒粉完全溶解；其中，三辛基膦与硒粉摩尔比为1.25：1到2：1之间；硒前驱体中硒的浓度为0.1mol/L到0.5mol/L之间；3）.将制备好的金属前驱体在惰性气氛中加热至260‑300℃，把硒前驱体快速注入其中，反应0.5‑60分钟，取出反应混合物注入沉淀剂中，收集沉淀即为铜镉锡硒半导体纳米晶体；两种前驱体的混合比例为：金属盐类与硒的摩尔比为1：1到1：5之间。