| 发明名称 | 半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备4H-SiC衬底；使用真空磁控溅射设备，将Ti电极薄膜通过磁控溅射设备沉积在所述4H-SiC衬底上，形成钛电极；将所述钛电极紧贴退火炉支撑Si托进行退火热处理，实现Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极；在所述Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极外侧渡一层Au作为电极保护；在电极与电极之间设置SiO2绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN103094073A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201310017053.X | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 上海师范大学 | 发明人 | 张永平;陈之战;石旺舟;卢吴越;谈嘉慧;程越;李薛 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人 | 刘朵朵 |
| 主权项 | 一种半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a）准备4H‑SiC衬底；b）使用真空磁控溅射设备，Ti电极薄膜通过磁控溅射设备沉积在所述4H‑SiC衬底上，形成钛电极；c）将所述钛电极紧贴退火炉支撑Si托进行退火热处理，实现Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极；d）在所述Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极外侧渡一层Au作为电极保护；e）在电极与电极之间淀积SiO2绝缘层。 | ||
| 地址 | 200234 上海市徐汇区桂林路100号 | ||