具有MgO角锥结构的发光装置及其制造方法

摘要

提供了一种氮化镓基III-V族化合物半导体发光装置及其制造方法。所述氮化镓基III-V族化合物半导体发光装置包括：基板；形成在基板上的p型欧姆电极层；形成在p型欧姆电极层上的p型氮化镓基III-V族化合物半导体层；形成在p型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型氮化镓基III-V族化合物半导体层；形成在n型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型欧姆电极层；具有比n型氮化镓基III-V族化合物半导体层和n型欧姆电极层的折射率小的折射率的第一折射率调节层和第二折射率调节层，其中，角锥结构形成在第二折射率调节层的表面上。当第一折射率调节层和第二折射率调节层包括在氮化镓基III-V族化合物半导体层上并且角锥结构形成在第二折射率调节层上时，与传统的发光二极管相比，发光二极管的表面光输出提高了1.5倍或更多。

主权项

一种发光装置，所述发光装置包括：基板；形成在基板上的第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性层；以及折射率调节层，形成在第一半导体层上并且具有比第一半导体层的折射率小的折射率。