| 发明名称 | 一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。本发明的优点在于：以器件内自建图形的方法代替器件外二次外延，大大降低了侧向外延技术的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103094421A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201310031174.X | 申请日期 | 2013.01.28 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 张骏;田武;吴峰;戴江南;陈长清 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 36100 | 代理人 | 胡里程 |
| 主权项 | 一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||