EEPROM存储器及其制作方法

摘要

一种EEPROM存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底；进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；进行变角度第二离子注入，形成位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述变角度第二离子注入的掺杂离子导电类型与第一离子注入掺杂离子导电类型相同；对所述半导体衬底进行退火，激活掺杂离子，使第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触；在所述半导体衬底上形成分立的存储晶体管和选择晶体管。本发明提供的方法，增大了读取EEPROM存储器的存储状态时的读取电流，提高了EEPROM存储器的稳定性。

主权项

一种EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；进行变角度第二离子注入，形成位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述变角度第二离子注入的掺杂离子导电类型与第一离子注入掺杂离子导电类型相同；对所述半导体衬底进行退火，激活掺杂离子，使第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触；在所述半导体衬底上形成分立的存储晶体管和选择晶体管，所述存储晶体管包括轻掺杂源/漏区半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区，所述选择晶体管包括轻掺杂源/漏区以外半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区。