| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源区；在所述有源区上的栅极结构；以及栅极结构两侧的间隔物；所述栅极结构包括：栅极电介质层，其位于所述有源区上；金属栅极，其位于所述栅极电介质层上，以及竖直的侧墙，其位于所述栅极电介质层上并且在所述金属栅极和间隔物之间，其中所述侧墙由自组装材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103094325A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110340752.9 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源区；在所述有源区上的栅极结构；以及栅极结构两侧的间隔物；所述栅极结构包括：栅极电介质层，其位于所述有源区上；金属栅极，其位于所述栅极电介质层上，以及竖直的侧墙，其位于所述栅极电介质层上并且在所述金属栅极和间隔物之间，其中所述侧墙由自组装材料形成。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||