| 发明名称 |
一种电子封装用高熔点无铅钎料及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为：88-89.5wt％的Bi，10wt％的Ag，0.5-2wt％的Cu，所述钎料的熔化温度为260-270℃，剪切强度为28-29.5MPa，所述钎料具有较为合适的熔化温度，作为电子封装用高铅钎料的无铅替代钎料的潜力较大。 |
| 申请公布号 |
CN103084750A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
| 申请号 |
CN201310057901.X |
申请日期 |
2013.02.25 |
| 申请人 |
重庆科技学院 |
发明人 |
尹立孟;尹建国;夏文堂;姚宗湘 |
| 分类号 |
B23K35/26(2006.01)I;B23K35/40(2006.01)I |
主分类号 |
B23K35/26(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为：88‑89.5wt％的Bi、10wt％的Ag、0.5‑2wt％的Cu，所述钎料的熔化温度为260‑270℃，剪切强度为28‑29.5MPa。 |
| 地址 |
401331 重庆市沙坪坝区虎溪大学城 |
