发明名称 |
金属系溅射靶材 |
摘要 |
本发明提供不使用高密度功率也能够获得高的成膜速度、能够降低发弧的发生、大幅提高溅射工序的生产量的金属系溅射靶材。该金属系溅射靶材是由立方晶系的结晶结构的金属或者合金构成的溅射靶材,其特征在于,上述溅射靶材中所含有的氧含量以质量计为10ppm以上1000ppm以下,相对于溅射面的结晶相的{200}面聚集度为15%以上80%以下,或者相对于溅射面的结晶相的{222}面聚集度为15%以上80%以下。 |
申请公布号 |
CN101960042B |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN200980106669.6 |
申请日期 |
2009.02.27 |
申请人 |
新日铁高新材料股份有限公司 |
发明人 |
稻熊徹;坂本广明;安藤彰朗;大石忠美;泉真吾;中村元 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;B22F3/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种金属系溅射靶材,其是由结晶结构为立方晶系的体心立方晶格结构的金属或者合金构成的溅射靶材,其特征在于:所述溅射靶材中所含有的氧含量以质量计为5ppm以上500ppm以下,相对于溅射面的结晶相的{200}面聚集度为30%以上80%以下,所述溅射靶材由Cr、Mo、W、V或者Ta构成的一元系金属形成,或者由含有Cr、Mo、W、V或者Ta中的任一种以上作为主要元素的合金形成。 |
地址 |
日本东京都 |