发明名称 |
一种磁传感器结构 |
摘要 |
通过结构的设计能够得到高灵敏度的磁传感器,在微磁探测方面有着广阔的应用前景。本实用新型提供一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其中,光源与入射光纤相连接;下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。本实用新型采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力,通过力改变光纤内传输光的相位,进而影响输出光的强度,实现高灵敏度的探测,适于微磁场的检测。 |
申请公布号 |
CN202929182U |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201220650560.8 |
申请日期 |
2012.11.20 |
申请人 |
林志娟 |
发明人 |
林志娟 |
分类号 |
G01R33/032(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/032(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其特征在于:所述的光源与入射光纤相连接,下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;所述的磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。 |
地址 |
315040 浙江省宁波市江东区百丈南路69弄9号603室 |