发明名称 一种磁传感器结构
摘要 通过结构的设计能够得到高灵敏度的磁传感器,在微磁探测方面有着广阔的应用前景。本实用新型提供一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其中,光源与入射光纤相连接;下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。本实用新型采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力,通过力改变光纤内传输光的相位,进而影响输出光的强度,实现高灵敏度的探测,适于微磁场的检测。
申请公布号 CN202929182U 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201220650560.8 申请日期 2012.11.20
申请人 林志娟 发明人 林志娟
分类号 G01R33/032(2006.01)I 主分类号 G01R33/032(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其特征在于:所述的光源与入射光纤相连接,下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;所述的磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。
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