| 摘要 |
Ein Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit beinhaltet das Bilden einer Isolatorschicht auf einem Substrat, das Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats, das Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht, das Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht, das Strukturieren der n-Ge-Schicht, das Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht, das Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt, und das Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden. |
