高密度嵌入式电容器及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层与掺杂区接触区域形成三维PN结；形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，第一电极位于掺杂区两侧或四周，第二电极位于掺杂区表面上。本发明实施例采用三维立体沟槽制作电容器的介质层，使介质层的有效面积远远大于常规电容器的介质层的有效面积，提高了电容器的电容密度，使该电容器能够同时满足低频退耦和高频退耦的要求。

主权项

一种高密度嵌入式电容器制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面上的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层表面内形成多个沟槽图形；以具有所述沟槽图形的刻蚀阻挡层为掩膜，在所述本体层表面内形成多个沟槽，所述沟槽垂直度良好且具有高深宽比；去除相邻沟槽之间的刻蚀阻挡层材料，以在所述刻蚀阻挡层表面上形成该电容器的掺杂区图形；以具有所述掺杂区图形的刻蚀阻挡层为掩膜，对所述沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在所述本体层与所述掺杂区接触区域形成三维PN结；保留紧邻所述掺杂区边缘的部分刻蚀阻挡层材料，去除所述掺杂区两侧或四周的部分刻蚀阻挡层材料，暴露出部分本体层材料，作为该电容器的第一电极区；在所述本体层表面上形成第一金属层，所述第一金属层与所述掺杂区材料及所述第一金属层与所述本体层材料间均形成欧姆接触，所述第一金属层覆盖所述第一电极区以及所述沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的掺杂区材料；去除部分第一金属层材料，形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，所述第一电极位于所述掺杂区的两侧或四周，所述第二电极位于所述掺杂区表面上，其中，去除的部分第一金属层材料位于紧邻所述掺杂区边缘的部分刻蚀阻挡层表面上。