发明名称 比较器以及具备该比较器的AD转换器
摘要 一种比较器,具备:与时钟信号(CLK)同步地导通/截止的晶体管(M0)、与晶体管(M0)的导通/截止同步地进行比较动作的差动对(M1、M2)、输出差动对(M1、M2)的比较结果的正反馈部(F1),正反馈部具备:在PMOS晶体管(M3)与NMOS晶体管(M4)之间插入的电阻(R1)、以及在PMOS晶体管(M5)与NMOS晶体管(M6)之间插入的电阻(R2),正反馈部在电阻(R1)的低电位侧连接PMOS晶体管(M5)的栅极,在电阻(R1)的高电位侧连接NMOS晶体管(M6)的栅极,在电阻(R2)的低电位侧连接PMOS晶体管(M3)的栅极,在电阻(R2)的高电位侧连接NMOS晶体管(M4)的栅极。
申请公布号 CN103098374A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201180043430.6 申请日期 2011.07.22
申请人 三美电机株式会社 发明人 井上文裕
分类号 H03K5/08(2006.01)I;H03M1/12(2006.01)I 主分类号 H03K5/08(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 曾贤伟;范胜杰
主权项 一种比较器,具备:与时钟信号同步地导通/截止的开关、与所述开关的导通/截止同步地进行比较动作的差动对、以及输出所述差动对的比较结果的正反馈部,其特征在于,所述正反馈部具备:在第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管之间插入的第一电阻、以及在第二PMOS晶体管与第二NMOS晶体管之间插入的第二电阻,所述正反馈部在所述第一电阻的低电位侧连接所述第二PMOS晶体管的栅极,在所述第一电阻的高电位侧连接所述第二NMOS晶体管的栅极,在所述第二电阻的低电位侧连接所述第一PMOS晶体管的栅极,在所述第二电阻的高电位侧连接所述第一NMOS晶体管的栅极。
地址 日本东京都