| 发明名称 |
一种超材料介质基板及其加工方法 |
| 摘要 |
本发明提供了一种超材料介质基板及其加工方法，包括以下步骤，111.将纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒，用超声波洗涤、干燥；112.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成纳米碳化硅陶瓷层；12.将上述纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末、石墨烯层利用热等静压工艺制成超材料的介质基板。应用本发明的加工方法，可以大大提高超材料介质基板的热导率，增强介质基板的硬度，减小介质基板的热膨胀系数。制成的介质基板导热性能良好，硬度较强，耐热性较好。另外，在制备纳米碳化硅陶瓷的过程中掺入硼作为添加剂，明显降低了纳米碳化硅陶瓷的整体烧结温度。 |
| 申请公布号 |
CN103085372A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
| 申请号 |
CN201110335512.X |
申请日期 |
2011.10.31 |
| 申请人 |
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;易显钦 |
| 分类号 |
B32B9/04(2006.01)I;B32B18/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/04(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种超材料介质基板，包括纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末和石墨烯层，所述纳米碳化硅陶瓷层中硼的质量比为0.1％‑10％，碳的质量比为0.1％‑3.5％，所述石墨粉末的质量比为40％‑60％。 |
| 地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦 |
