高密度闸流管随机存取存储器装置及方法

摘要

本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法允许在存储器装置的表面上或接近所述表面形成存储器阵列中的迹线布线。

主权项

一种存储器单元，其包括：第一类型经掺杂半导体基底，其具有两个面朝上的端及在所述两个面朝上的端之间的经折叠传导路径；一对第二类型经掺杂半导体结构，其垂直耦合到所述第一类型经掺杂半导体基底以沿所述传导路径形成第一及第二p‑n结；第一类型经掺杂半导体顶部结构，其用以沿所述传导路径形成第三p‑n结；及栅极，其邻近于所述第一类型经掺杂半导体基底的至少一侧在所述第一与第二p‑n结之间。