| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路。化合物半导体器件包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在第一化合物半导体层上方的供给载流子的第二化合物半导体层；以及设置在第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中第三化合物半导体层包括载流子浓度高于第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103094315A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210385127.0 | 申请日期 | 2012.10.11 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 西森理人;多木俊裕;吉川俊英 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M5/458(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在所述第一化合物半导体层上方的供给所述载流子的第二化合物半导体层；以及设置在所述第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中所述第三化合物半导体层包括载流子浓度高于所述第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||