| 发明名称 | 晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103088311A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210418546.X | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 冈田充弘;柿本明修;长谷部一秀 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种晶种层的形成方法，其特征在于，所述方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：（1）使用氨基硅烷系气体，使所述氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到所述基底上的工序；以及（2）使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有所述氨基硅烷系气体中包含的至少硅的所述基底上沉积所述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||