| 发明名称 | 用于反克隆的非易失性存储器及其验证方法 | ||
| 摘要 | 提供用于反克隆的非易失性存储器。非易失性存储器包括：增强的媒体标识（EMID）区域，其位于非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别非易失性存储器的EMID；EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。 | ||
| 申请公布号 | CN103098063A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201180043334.1 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜甫暻;高祯完;李炳来 |
| 分类号 | G06F21/10(2013.01)I;G06F21/34(2013.01)I;H04L9/32(2006.01)I | 主分类号 | G06F21/10(2013.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李琳 |
| 主权项 | 一种用于反克隆的非易失性存储器，包括：增强的媒体标识（EMID）区域，其位于所述非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别所述非易失性存储器的EMID；以及EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||