具有氮化铝层的发光二极管、封装结构及其制备方法

摘要

本发明是有关于一种具有氮化铝层的发光二极管、封装结构及其制备方法。本发明的具有氮化铝层的垂直式发光二极管是包括：一基板；一第一电极，是设于该基板的表面；一半导体外延层，是与该第一电极电性连接；一第二电极，是与该半导体外延层电性连接，且该第一电极与该第二电极是位于该半导体外延层的相对二侧；以及一氮化铝层，其是设置于该半导体外延层的表面、侧壁、或表面及侧壁。

主权项

一种具有氮化铝层的垂直式发光二极管，其包括：一基板；一第一电极，设于该基板的表面；一半导体外延层，与该第一电极电性连接；一第二电极，与该半导体外延层电性连接，且该第一电极与该第二电极位于该半导体外延层的相对二侧；以及一氮化铝层，其设置于该半导体外延层的表面、侧壁、或表面及侧壁。