| 发明名称 | 一种半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：衬底；阱，所述阱毗邻衬底并包括N型埋层和N型掺杂区域；具有掺杂梯度的N型掺杂区域，所述具有掺杂梯度的N型掺杂区域毗邻所述衬底和所述阱的N型掺杂区域；P型掺杂区域，所述P型掺杂区域毗邻所述衬底和所述具有掺杂梯度的N掺杂区域；以及电阻，所述电阻耦接至所述阱的N型掺杂区域和所述P型掺杂区域。所述半导体器件可以将集成在其内部的器件与其他高电压区域电隔离，使这些器件只承受几十伏的电压差。 | ||
| 申请公布号 | CN101937925B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201010263751.4 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 邢正人;莫耶·C·詹姆斯 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人 | 徐宏;詹永斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；N型埋层，所述N型埋层毗邻所述衬底；N型掺杂区域，所述N型掺杂区域毗邻所述N型埋层和所述衬底，所述N型掺杂区域包括：第一N型掺杂区域，所述第一N型掺杂区域毗邻并环绕所述N型埋层并具有第一掺杂浓度；第二N型掺杂区域，所述第二N型掺杂区域毗邻并环绕所述第一N型掺杂区域并具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；P型掺杂区域，所述P型掺杂区域毗邻所述衬底且毗邻并环绕所述第二N型掺杂区域；以及电阻，所述电阻耦接至所述第一N型掺杂区域和所述P型掺杂区域。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||