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Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor, einer darin angeordneten Prozesskammer (4), in die mittels eines Gaseinlassorganes (2) ein Prozessgas einspeisbar ist, mit einem Substrathalter (3), der an seiner zur Prozesskammer (4) gewandten Oberseite (3') ein oder mehrere Taschen (5) aufweist, die so ausgebildet sind, dass jeweils ein Substrat (7) nur auf ausgewählten, erhabenen Auflagebereichen (6) aufliegt, mit einer unterhalb des Substrathalters (3) angeordneten Heizung (9), die von der Unterseite (3'') des Substrathalters (3) beabstandet ist, wobei die Unterseite (3'') des Substrathalters (3) in einem unter einer mittigen Zone der Tasche (5) liegenden Zentralbereich (b) bezogen auf die Wärmeübertragung von der Heizung (9) zum Substrathalter (3) anders gestaltet ist als in einem den Zentralbereich (a) umgebenden, unterhalb einer randnahen Zone der Tasche (5) liegenden Umgebungsbereich (a). Die Heizung (9) soll als im wesentlichen ebene Wärmequelle ausgebildet sein. Eine Gasspüleinrichtung (11) ist vorgesehen, um den Spalt (12) mit Spülgasen verschiedener Wärmeleitfähigkeit zu spülen. Der Spalt (12) hat eine derartige Spalthöhe (s, t), dass bei einem Wechsel eines ersten Spülgases mit einer ersten Wärmeleitfähigkeit zu einem zweiten Spülgas mit einer zweiten Wärmeleitfähigkeit die Wärmezufuhr von der Heizung (9) zum Substrathalter (3) sich im Umfangsbereich (a) anders ändert als im Zentralbereich (b).
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