发明名称 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法
摘要 本发明提供一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法,包括:在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层,在有源层、波导层的表面均外延生产InP层;在InP层的表面沉积隔离层;在隔离层的表面旋涂光刻胶;采用曝光显影的方法,利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻,去除部分隔离层;打开扩散源进行元素扩散,对应去除隔离层的InP层形成元素扩散,保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。本发明提出一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法,采用扩散方法改善电吸收调制激光器的隔离电阻特性,可以通过扩散浓度和扩散区域长度来调节隔离电阻值,对光波导层没有损伤,传输损耗低,具有高可靠性。
申请公布号 CN103094835A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310012312.X 申请日期 2013.01.14
申请人 武汉电信器件有限公司 发明人 熊永华;余向红;王任凡
分类号 H01S5/20(2006.01)I 主分类号 H01S5/20(2006.01)I
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人 张若华
主权项 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法,其特征在于:包括以下几个步骤:步骤一:在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层,在有源层、波导层的表面均外延生产InP层;步骤二:在InP层的表面沉积隔离层; 步骤三:在隔离层的表面旋涂光刻胶;步骤四:采用曝光显影的方法,利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻,去除部分隔离层; 步骤五:打开扩散源进行元素扩散,对应去除隔离层的InP层形成元素扩散,保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号