CMOS图像传感器的制造方法及其所用的刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器的制造方法及其所用的刻蚀方法，刻蚀方法包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体；向反应腔室施加源功率和偏置功率，偏置功率呈脉冲式变化；在反应腔室中交替进行刻蚀制程和沉积制程；其中，源功率低于2000瓦。其能有效避免notching现象的出现，从而可提升产品良率，且实施简单、易于推广。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的刻蚀方法，包括如下步骤：a)、向反应腔室通入制程气体，所述制程气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体；b)、向所述反应腔室施加源功率和偏置功率，所述偏置功率呈脉冲式变化；c)、在所述反应腔室中交替进行刻蚀制程和沉积制程；其中，所述源功率低于2000瓦。