背照式的CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种背照式的CMOS图像传感器，包括：半导体基底，包括至少两个像素单元区域，所述半导体基底具有正面和与之相对的背面；所述半导体基底的正面形成有至少两个像素，每一所述像素单元区域内具有一个所述像素；所述半导体基底的背面形成有沟槽，所述沟槽位于相邻所述像素单元区域之间；所述半导体基底的背面形成有隔绝层，所述隔绝层与所述沟槽形成空气隙；所述隔绝层上依次形成有滤光片和微透镜。同时，本发明还提供一种背照式的CMOS图像传感器的制备方法，采用本发明的背照式的CMOS图像传感器，能够减少或避免光线进入相邻的像素单元区域，改善对相邻的像素单元区域造成光学串扰现象，提高背照式的CMOS图像传感器的成色质量。

主权项

一种背照式的CMOS图像传感器，包括：半导体基底，包括至少两个像素单元区域，所述半导体基底具有正面和与之相对的背面；所述半导体基底的正面形成有至少两个像素，每一所述像素单元区域内具有一个所述像素；所述半导体基底的背面形成有沟槽，所述沟槽位于相邻所述像素单元区域之间；所述半导体基底的背面形成有隔绝层，所述隔绝层与所述沟槽形成空气隙；所述隔绝层上依次形成有滤光片和微透镜。