埋层引出结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。本发明还公开了所述埋层引出结构的制造方法。本发明的埋层引出结构制作在隔离区，没有占据任何有源区，接触孔电极的尺寸远小于常规的沉淀层，大量地节约了器件面积，而且接触孔电极是通过金属接触并引出埋层，串联电阻远小于常规的沉淀层。本发明的埋层引出结构的制造方法由于不需要沉淀区，因而省略了现有方法中的高温退火工艺，进一步降低了工艺成本和时间。

主权项

一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，其特征是，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。