一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法

摘要

本发明属于化学水浴沉积技术领域，为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题，提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法，包括如下步骤：T＝65～90℃下向含有Cd2+、NH4+的水溶液中加入氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲，得到化学水浴混合液，所述化学水浴混合液中Cd2+、NH4+、氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲浓度分别为0.001～0.01mol/L、0.01～0.1mol/L、0.1～0.5mol/L、0.1～1.0g/L、0.05～0.2g/L和0.001～0.06mol/L；保持T＝65～90℃进行成膜反应，直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时，反应结束；最后，取出沉积了硫化镉薄膜的衬底，并清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外，本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。

主权项

化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法，包括如下步骤：T＝65～90℃下向含有Cd2+、NH4+的水溶液中加入氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲，得到化学水浴混合液，所述化学水浴混合液中Cd2+、NH4+、氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲浓度分别为0.001～0.01mol/L、0.01～0.1mol/L、0.1～0.5mol/L、0.1～1.0g/L、0.05～0.2g/L和0.001～0.06mol/L；保持T＝65～90℃进行成膜反应，直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时，反应结束；最后，取出沉积了硫化镉薄膜的衬底，并清洗、干燥。