发明名称 |
具防突波功能的多层式半导体组件封装结构及其制作方法 |
摘要 |
一种具防突波功能的多层式半导体组件封装结构,其包括:基板单元、绝缘单元、单向导通单元及保护单元。基板单元具有至少一顶层基板、至少一中间基板及至少一底层基板。绝缘单元具有至少一填充于至少一顶层基板及至少一中间基板之间的第一绝缘层及至少一填充于至少一中间基板及至少一底层基板之间的第二绝缘层。单向导通单元具有多个电性地设置于至少一顶层基板与至少一中间基板之间且被至少一第一绝缘层所包覆的单向导通组件。保护单元具有至少一电性地设置于至少一中间基板与至少一底层基板之间且被至少一第二绝缘层所包覆的具有防止突波电流或突波电压的保护组件;进而有效地降低了成本。 |
申请公布号 |
CN102201395B |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201010141932.X |
申请日期 |
2010.03.25 |
申请人 |
方伟光 |
发明人 |
方伟光 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种具防突波功能的多层式半导体组件封装结构,其特征在于,包括:基板单元,其具有至少一顶层基板、至少一中间基板及至少一底层基板;绝缘单元,其具有至少一填充于上述至少一顶层基板及上述至少一中间基板之间的第一绝缘层及至少一填充于上述至少一中间基板及上述至少一底层基板之间的第二绝缘层;单向导通单元,其具有多个电性地设置于上述至少一顶层基板与上述至少一中间基板之间且被上述至少一第一绝缘层所包覆的单向导通组件;以及一保护单元,其具有至少一电性地设置于上述至少一中间基板与上述至少一底层基板之间且被上述至少一第二绝缘层所包覆的具有防止突波电流或突波电压的保护组件;其中该基板单元包括多个穿过该基板单元的贯穿孔及多个分别形成于该些贯穿孔的内表面上的导电层,其中每一个贯穿孔依序穿过上述至少一顶层基板、上述至少一第一绝缘层、上述至少一中间基板、上述至少一第二绝缘层及上述至少一底层基板,且每一个导电层电性连接于上述至少一顶层基板、上述至少一中间基板及上述至少一底层基板。 |
地址 |
中国台湾台北市 |