发明名称 一种V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>纳米线的制备方法
摘要 本发明涉及了一种V2O5纳米线的制备方法,属于纳米材料制备及性能技术领域。以V2O5为原料,H2O2为反应溶剂,在冰水浴中将纯V2O5和20~40wt%的H2O2溶液按照V2O5:H2O2=0.8g~1.2g:40mL~80mL混合,采用电磁-超声波混合搅拌方式制取V2O5溶胶,然后,通过提拉法在ITO导电玻璃上沉积V2O5层状薄膜,通过对薄膜进行特殊的热处理方式,使层状的V2O5自结晶,形成V2O5纳米线。这种方法不需要表面活性剂和催化剂、无需高温高压,具有工艺操作简单、成本低、形成的纳米线结构致密性好等优点。
申请公布号 CN103086431A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310025659.8 申请日期 2013.01.22
申请人 昆明理工大学 发明人 詹肇麟;彭雁;张卫伟;刘忠;李莉;刘建雄
分类号 C01G31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G31/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种V2O5纳米线的制备方法,其特征在于具体制备步骤包括如下:(1)将V2O5溶入H2O2溶液中,按照V2O5:H2O2=0.8g~1.2g:40mL~80mL的比例配置,然后将温度保持在‑2~+1ºC,采用电磁搅拌和超声波搅拌结合,制备V2O5溶胶溶液;(2)采用提拉法制备V2O5薄膜,将基片以10~20cm/min的速度插入V2O5溶胶溶液中,静置10~25分钟后,以插入基片时相同的速度提拉出来,待基片上的薄膜干燥后,重复上述提拉过程4~10次,得到薄膜厚度在0.1~0.4µm的V2O5层状湿膜;(3)将V2O5层状湿膜在室温下干燥24~48小时,然后在大气条件下进行热处理,使V2O5层状湿膜自结晶,再从基片上剥离,即得到V2O5纳米线。
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