发明名称 |
半导体封装用防护玻璃及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体封装用防护玻璃及其制造方法,该防护玻璃具有适于塑料封装的热膨胀系数,且能够通过图像检测正确检测是否存在杂质和尘埃等,且其α射线的放射量通常很少。该防护玻璃的特征在于,以质量%计含有SiO258~75%、Al2O31.1~20%、B2O30~10%、Na2O0.1~20%、K2O0~11%、碱土金属氧化物0~20%,在30~280℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90~180×10-7/℃,杨氏模量在68GPa以上,来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。 |
申请公布号 |
CN103097317A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201180043719.8 |
申请日期 |
2011.09.08 |
申请人 |
日本电气硝子株式会社 |
发明人 |
驹井誉子;村田隆;淀川正弘 |
分类号 |
C03C3/091(2006.01)I;C03B17/06(2006.01)I;C03C3/085(2006.01)I;C03C3/087(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I |
主分类号 |
C03C3/091(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 |
代理人 |
陈波;朱弋 |
主权项 |
一种半导体封装用防护玻璃,其特征在于,以质量%计含有SiO258~75%、Al2O31.1~20%、B2O30~10%、Na2O0.1~20%、K2O0~11%、碱土金属氧化物0~20%,在30~380℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90~180×10‑7/℃,杨氏模量在68GPa以上,来自所述玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。 |
地址 |
日本滋贺县大津市 |