发明名称 半导体封装用防护玻璃及其制造方法
摘要 本发明涉及一种半导体封装用防护玻璃及其制造方法,该防护玻璃具有适于塑料封装的热膨胀系数,且能够通过图像检测正确检测是否存在杂质和尘埃等,且其α射线的放射量通常很少。该防护玻璃的特征在于,以质量%计含有SiO258~75%、Al2O31.1~20%、B2O30~10%、Na2O0.1~20%、K2O0~11%、碱土金属氧化物0~20%,在30~280℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90~180×10-7/℃,杨氏模量在68GPa以上,来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。
申请公布号 CN103097317A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201180043719.8 申请日期 2011.09.08
申请人 日本电气硝子株式会社 发明人 驹井誉子;村田隆;淀川正弘
分类号 C03C3/091(2006.01)I;C03B17/06(2006.01)I;C03C3/085(2006.01)I;C03C3/087(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I 主分类号 C03C3/091(2006.01)I
代理机构 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人 陈波;朱弋
主权项 一种半导体封装用防护玻璃,其特征在于,以质量%计含有SiO258~75%、Al2O31.1~20%、B2O30~10%、Na2O0.1~20%、K2O0~11%、碱土金属氧化物0~20%,在30~380℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90~180×10‑7/℃,杨氏模量在68GPa以上,来自所述玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。
地址 日本滋贺县大津市