| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。根据本发明，可以改善在对晶圆中的晶粒实施退火处理时出现的退火不均一的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103094119A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110344420.8 | 申请日期 | 2011.11.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||