发明名称 |
晶体管及其形成方法 |
摘要 |
本发明的实施例提供了一种晶体管,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底表面的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽,所述沟槽的底部为V形;位于所述沟槽内的应力层。相应的,本发明的实施例还提供了一种晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底;形成位于所述半导体衬底表面的栅极结构;在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成沟槽,所述沟槽的底部为V形;在所述沟槽内形成应力层。本发明实施例中底部为V形的沟槽中填充应力层,可以为沟道区带来更大的应力,有助于提高沟道区载流子的迁移率,增加晶体管的驱动电流,提高晶体管的性能。 |
申请公布号 |
CN103094340A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110340617.4 |
申请日期 |
2011.11.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
涂火金;三重野文健 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种晶体管,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底表面的栅极结构;其特征在于,还包括:位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽,所述沟槽的底部为V形;位于所述沟槽内的应力层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |