一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构的制造方法。本发明的寄生PNP器件结构能作为高速、高增益HBT电路中的输出器件，无需额外的工艺条件即能为HBT电路提供多一种器件选择。

主权项

一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。