发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法、以及具备薄膜晶体管的显示装置、溅射靶材 |
摘要 |
在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下,在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低,另外,在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时,存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移,TFT成为正常接通动作的问题。本发明提供薄膜晶体管,其在基板上具备:栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜,其特征在于,所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素,所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子%以上且66原子%以下,并且,在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极和所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子%的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时,所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。 |
申请公布号 |
CN103094352A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201210440979.5 |
申请日期 |
2012.11.02 |
申请人 |
日立电线株式会社 |
发明人 |
浅沼春彦;楠敏明;外木达也;辰巳宪之 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王永红 |
主权项 |
薄膜晶体管,其为在基板上具备:栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜的薄膜晶体管,其特征在于,所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素,所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子%以上且66原子%以下,并且,在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子%的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时,所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。 |
地址 |
日本东京 |