一种大功率LED芯片的制作方法

摘要

本发明采用的技术方案为：提供一种制备大功率LED芯片的方法，在芯片原片背面通过光刻技术留下可供激光隐形切割的切割道，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片；在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来；通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列；移除阻挡层；沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。本发明的优点在于划片不会伤及反射镜阵列。

主权项

一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片；在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来；通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列；移除阻挡层；沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。