| 发明名称 | 一种P型异质结太阳电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P型异质结太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：a、提供一定向凝固法制备的P型硅片；b、对所述P型硅片进行表面除杂清洗，去除其表面杂质；c、对表面除杂清洗后的P型硅片的进行制绒和清洗；d、在所述P型硅片上形成正面结构和背面结构。所述方法采用定向凝固法制备的P型硅片为衬底制备P型异质结太阳能电池，无需采用采用直拉法或是区熔法制备传统单晶硅片即可制备P型异质结太阳能电池，从而降低了P型异质结太阳能电池的制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103094423A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201310038428.0 | 申请日期 | 2013.01.31 |
| 申请人 | 英利集团有限公司 | 发明人 | 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰;宋登元 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种P型异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：a、提供一定向凝固法制备的P型硅片；b、对所述P型硅片进行表面除杂清洗，去除其表面杂质；c、对表面除杂清洗后的P型硅片的进行制绒和清洗；d、在所述P型硅片上形成正面结构和背面结构；其中，所述正面结构包括：位于所述P型硅片上表面的第一本征非晶硅层；位于所述第一本征非晶硅层上表面的N型非晶硅层；位于所述N型非晶硅层上表面的第一透明导电薄膜；所述背面结构包括：位于所述P型硅片下表面的第二本征非晶硅层；位于所述第二本征非晶硅层下表面的P型非晶硅层；位于所述P型非晶硅层下表面的第二透明导电薄膜。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市翠园街722号 | ||