发明名称 三阶储存单元的闪存装置及其控制方法
摘要 本发明揭露一种闪存控制装置,其通过通信接口接收主控装置传来的待写入数据。接着,该闪存控制装置的处理电路会取得该储存单元模块的使用者容量与有效数据量,并判断该有效数据量占该使用者容量的比率是否低于第一设定值:若该比率低于该第一设定值时,则令该储存电路以一位模式存取电荷;若该比率等于或高于该第一设定值,则判断该比率是否高于一第二设定值:若该比率低于该第二设定值,则令该储存电路以二位模式存取电荷;若该比率等于或高于该第二设定值,则令该储存电路以三位模式存取电荷。
申请公布号 CN103093822A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201110437265.4 申请日期 2011.12.14
申请人 慧荣科技股份有限公司 发明人 杨宗杰;林璟辉;沈扬智;郭郡杰
分类号 G11C16/34(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭蔚
主权项 一种三阶储存单元的闪存装置,其包含有:一储存单元模块,其包含一由多个三阶储存单元组成的储存单元数组与一储存电路,其中,该储存电路是电性连接于该储存单元数组,以将电荷存取于该些三阶储存单元;以及一内存控制模块,电性连接于该储存电路,其是用以取得并比较该储存单元模块之一使用者容量与一有效数据量,并于该有效数据量占该使用者容量的比率低于一第一设定值时,令该储存电路以一位模式存取电荷。
地址 中国台湾新竹县竹北市台元街36号8楼之1