发明名称 |
双层多晶硅一次性可编程器件结构 |
摘要 |
本发明公开了一种双层多晶硅一次性可编程器件结构,包括P型硅片,P型硅片形成有N型阱;N型阱内并排形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区,第一P型重掺杂区与第二P型重掺杂区之间的N型阱上并排形成有存贮管栅氧、选通管栅氧,存贮管栅氧与选通管栅氧之间通过栅间介质层隔离;存贮管栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅,选通管栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅;部分存储管栅极多晶硅的上方覆盖有选通管栅极多晶硅;选通管栅极多晶硅与存储管栅极多晶硅之间通过栅间介质层隔离。本发明具有较小的元胞尺寸,且在使用过程中只需提供一个精确电压,从而能够大大减小整个芯片的面积,使得这类OTP器件的应用范围拓展到低密度容量的应用场合下。 |
申请公布号 |
CN103094323A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110346471.4 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
刘梅;仲志华;胡晓明 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
张骥 |
主权项 |
一种双层多晶硅一次性可编程器件结构,其特征在于:包括P型硅片(10),P型硅片(10)形成有N型阱(11);N型阱(11)内并排形成有第一P型重掺杂区(192)、第二P型重掺杂区(193),第一P型重掺杂区(192)与第二P型重掺杂区(193)之间的N型阱(11)上并排形成有存贮管栅氧(13)、选通管栅氧(16),存贮管栅氧(13)与选通管栅氧(16)之间通过栅间介质层(15)隔离;所述存贮管栅氧(13)之上形成有存储管栅极多晶硅(14),选通管栅氧(16)之上形成有选通管栅极多晶硅(17);部分存储管栅极多晶硅(14)的上方覆盖有选通管栅极多晶硅(17);选通管栅极多晶硅(17)与存储管栅极多晶硅(14)之间通过栅间介质层(15)隔离。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |