薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板，所述TFT基板包括半导体图案、导电图案、第一布线图案、绝缘图案和第二布线图案。半导体图案形成于基板上。导电图案形成为与基板上的半导体图案相一致的层。第一布线图案形成于半导体图案上。第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极。绝缘图案形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图案。第二布线图案形成于绝缘图案上。第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极。因此，使用两个或三个掩膜制造TFT基板，以使得可以降低制造成本。

主权项

一种薄膜晶体管TFT基板，包括：形成于基板上的半导体图案；导电图案，所述导电图案形成在与所述基板上的所述半导体图案相同的层上；形成于所述半导体图案上的第一布线图案，所述第一布线图案包括源极和与所述源极间隔开的漏极；绝缘图案，所述绝缘图案形成于具有所述第一布线图案的基板上以覆盖所述第一布线图案；以及形成于所述绝缘图案上的第二布线图案，所述第二布线图案包括形成于所述源极和所述漏极上的栅极；其中，所述半导体图案包括金属氧化物半导体；所述导电图案包括通过等离子处理所述金属氧化物半导体形成的导电氧化物材料；所述导电图案包括像素电极，所述像素电极与漏极部分重叠而电连接到漏极。