| 发明名称 | 陶瓷电子元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在通过镀覆来形成如层叠陶瓷电容器那样的陶瓷电子元件的外部端子电极时，有时镀生长会一直到不希望之处。为此，本发明提供一种陶瓷电子元件，其中，元件主体(2)提供的陶瓷面具有：例如由钛酸钡类陶瓷构成并显示出较高的镀生长力的高镀生长区域(11)；和例如由锆酸钙类陶瓷构成并显示出较低的镀生长力的低镀生长区域(12)。构成作为外部端子电极的基底的第一层(13)的镀膜，以内部电极(5)及(6)的露出端所提供的导电面为起点，在如下的状态下通过析出的镀析出物生长而形成：限制生长使得生长不向着低镀生长区域(12)侧地越过高镀生长区域(11)和低镀生长区域(12)之间的边界。 | ||
| 申请公布号 | CN102315017B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110161080.5 | 申请日期 | 2011.06.15 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 小川诚;元木章博;猿喰真人;岩永俊之;竹内俊介;樱田清恭 |
| 分类号 | H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/005(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 樊建中 |
| 主权项 | 一种陶瓷电子元件，具备：元件主体，其用由陶瓷构成的陶瓷面和由导体构成的导电面来构成表面；和镀膜，其以所述导电面为起点使析出的镀析出物在所述陶瓷面上生长而形成，所述陶瓷面具有：高镀生长区域，其由第一陶瓷构成并显示出较高的镀生长力；和低镀生长区域，其由与所述第一陶瓷不同的第二陶瓷构成并显示出较低的镀生长力，所述镀膜从所述导电面起在如下的状态下形成：限制生长使得生长不向着所述低镀生长区域侧地越过所述高镀生长区域和所述低镀生长区域之间的边界。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||