| 摘要 |
<p>본 발명은 금속막의 평판화를 위한 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 조성물에 관한 것으로, 옥시 이민기(>C=N-OH)(oxy-imine, 또는 옥심(oxime)이라함)를 갖는 화합물을 착화제로 함유하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 연마 조성물은 금속 배선 웨이퍼 표면의 단차를 줄이면서 연마시키므로, 반도체 제조 시 금속층의 평판화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.</p> |
