LIGHT EMITTING DEVICE AND THE FABRICATION METHOD THEREOF
摘要
<p>본 발명에 의하면, ZnO층이 AlInGaN(0≤x,y,x+y≤1) 반도체층과 유사한 결정구조를 가짐에 따라 포러스 실리콘 기판과 AlInGaN(0≤x,y,x+y≤1) 반도체층과의 격자불일치를 효과적으로 완화할 수 있다. 또한, 발광 다이오드와 제너 다이오드를 단일 칩 내에 구비하는 발광소자를 제공할 수 있으며, 열방출 성능이 우수한 포러스 실리콘 기판을 채택함으로써 고출력을 달성할 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다.</p>
