| 摘要 |
<p>수용부 (21A, 21B) 는, 영구 자석 (17A, 17B) 을 수용하기 위한 자석 수용부 (19A, 19B) 와 자석 수용부 (19A, 19B) 의 q 축선 측에 위치되는 공동 (20A, 20B) 을 구비한다. 공동 (20A, 20B) 은 회전자 외주면 (162) 을 통해 개방된다. 외측 공동 형성면 (201A, 201B) 의 시작점 (Pa1, Pb1) 은 회전자 외주면 (162) 상에 위치된다. 외측 공동 형성면 (201A, 201B) 은 자극면 (170A, 170B) 또는 자극 대면 면 (191A, 191B) 의 가상 연장 평면 (23A, 23B) 중 어느 하나와 교차한다. 회전자 외주면 (162) 은 가상 환형 선 (E) 의 일부분을 포함한다. 외측 공동 형성면 (201A, 201B) 의 시작점 (Pa1, Pb1) 은 자극 대면 면 (191A, 191B) 의 가상 연장 평면 (23A, 23B) 과 가상 환형 선 (E) 사이의 교차점 (Qa, Qb) 과 d 축선 사이에 위치된다.</p> |
