| 摘要 |
<p>에피택셜층을 포함하지 않는 기판에 다양한 반도체 디바이스를 제조하기 위해 아주 저온의 프로세스가 사용된다. 상기 디바이스는 비-절연 수평 D-MOS. 비-절연 확장 드레인 또는 드리프트 MOS 디바이스, 수평 트렌치 DMOS, 절연 수평 DMOS, JFET 및 공핍-모드 디바이스, 및 P-N 다이오드 클램프 및 정류기와 접합 종단을 포함한다. 상기 프로세스는 고온 프로세스의 필요를 제거하고 "주입된대로(as-implanted)" 불순물 프로파일을 을 사용하기 때문에, 상기 나머지 요소들을 생성하기 위해 사용된 프로세스를 변경할 필요없이 IC에 디바이스를 부가하거나 생략하는 것을 허용하는 모듈러 아키텍처를 구성한다.</p> |
