| 摘要 |
<p>비단결정 반도체막을 레이저 어닐링할 때에 적절한 주사 피치와 조사 횟수에 의해 상기 반도체막을 결정화하는 것을 가능하게 한다. 비단결정 반도체막 상에 라인 빔 형상의 펄스 레이저를 조사해서 결정화를 행하는 결정 반도체막의 제조 방법에 있어서, 펄스 레이저는 주사 방향의 빔 단면 형상으로 강도가 균일한 평탄부[빔 폭(a)]를 갖고, 펄스 레이저 조사에 의해 결정화된 반도체막에 의해 형성되는 트랜지스터의 채널영역 폭을 b로 하며, 펄스 레이저는 비단결정 반도체막에 미결정화가 생기는 조사 펄스 에너지 밀도보다 낮은 조사 펄스 에너지 밀도(E)를 갖고, 펄스 레이저의 조사 횟수(n)는 조사 펄스 에너지 밀도(E)의 펄스 레이저의 조사에 의해 결정 입경 성장이 포화되는 조사 횟수를 n0으로 하여 (n0-1) 이상으로 하고, 펄스 레이저의 주사 방향에 있어서의 이동량(c)을 b/2 이하로 한다.</p> |
