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Die Zuverlässigkeit eines Halbleiterbauelements wird durch den Abbau einer Sperrspannungsverschlechterung zum Zeitpunkt einer Sperrvorspannung einer Übergangsbarriere-Schottky-Diode unter Verwendung eines Substrats, das SiC enthält, verbessert. In einer JBS-Diode mit einer aktiven Fläche von mindestens 0,1 cm2 kann eine Fläche einer Schottky-Grenzfläche, an der sich eine Driftschicht und eine Schottky-Elektrode miteinander in Kontakt befinden, ausreichend verringert werden, indem ein Verhältnis einer p-Typ-Halbleiterzone, die eine Übergangsbarrierenzone in einer aktiven Zone ist, relativ erhöht wird und dadurch wird die Verschlechterung der Sperrspannung, die durch in der Driftschicht vorhandene Defekte verursacht wird, verhindert.
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